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Wayon維安代理商SIC碳化硅肖特基二極管讓你的電源冰墩墩 透心涼
碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管、PiN二極管和超結(jié)二極管；功率開關(guān)管主要包括金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)開關(guān)管（MOSFET）、結(jié)型場效應(yīng)開關(guān)管（JFET）、雙極型開關(guān)管（BJT）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、門極可關(guān)斷晶閘管（GTO）和發(fā)射極可關(guān)斷晶閘管（ETO）等。
其性能優(yōu)勢，如更低損耗、更高電壓、更高頻率、更小尺寸和更高結(jié)溫，非常適合制造大功率電子器件。
市面上主流的SiC二極管產(chǎn)品，基本上采用JBS結(jié)構(gòu)。JBS結(jié)構(gòu)主從原理上來說，主要是PN結(jié)二極管+肖特基結(jié)二極管。這樣的結(jié)構(gòu)好處是它綜合了PiN反向漏電的特點(diǎn)，而且具有肖特基二極管快速恢復(fù)的特點(diǎn)。所以說SiC二極管既能工作在高壓下，又能工作在高頻下。
WAYON維安SiC碳化硅肖特基二極管的特點(diǎn)：
肖特基二極管最顯著的特點(diǎn)是反向恢復(fù)時間短，但是就傳統(tǒng)的肖特基二極管它的耐壓一般不超過200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復(fù)時間實(shí)踐，同時在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢。在開關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)更高的直流電輸出。
Wayon維安第四代產(chǎn)品以100μm厚度為代表。此工藝水平為目前國際最優(yōu)量產(chǎn)水平，國際上英飛凌C6等產(chǎn)品采用此節(jié)點(diǎn)工藝進(jìn)行開發(fā)，得到VF和電容性能的綜合優(yōu)勢，維安目前量產(chǎn)主推工藝也是采用此節(jié)點(diǎn)，工藝水平領(lǐng)先國內(nèi)主流1代~1.5代水平。
Wayon維安碳化硅肖特基產(chǎn)品歷經(jīng)250μm、150μm、100μm三次更新，目前量產(chǎn)產(chǎn)品全部采用100μm節(jié)點(diǎn)（維安第三代）薄片工藝，通過降低芯片厚度降低導(dǎo)通損耗和使用縮小有效結(jié)面積的方法降低電容，使器件電流密度，導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗等器件參數(shù)性能優(yōu)于同行業(yè)水平。Wayon維安SIC碳化硅肖特基二極管：
1200V 碳化硅肖特基二極管四個型號WSRSIC020120NP4/WSRSIC010120NP4/WSRSIC040120NP8/WSRSIC020120NP8；
650V 碳化硅肖特基二極管型號：WSRSIC010065NPD/WSRSIC008065NPD/WSRSIC006065NPD/WSRSIC004065NPD/WSRSIC010065NNI/WSRSIC008065NNI/WSRSIC006065NNI/WSRSIC004065NNI/WSRSIC010065NPF/WSRSIC008065NPF/WSRSIC006065NPF/WSRSIC004065NPF，封裝一般為DFN5*6/TO-220ISO-2L。
Wayon維安碳化硅肖特基二極管650V型號WSRSIC008065NPD規(guī)格書:
Wayon維安代理商在電源模塊中使用碳化硅肖特基二極管器件，具有以下優(yōu)勢：
開關(guān)損耗極低；
較高的開關(guān)頻率；
結(jié)溫高，從而降低了冷卻要求和散熱要求；
更小封裝，適合更緊湊的方案。
可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。
在新能源汽車中，SiC碳化硅肖特基二極管主要是用于車載OBC和地面充電樁設(shè)備。車載OBC和充電樁功能都是相同的，都是將電網(wǎng)中的交流電轉(zhuǎn)換成直流電，然后給汽車的蓄電池充電。
其中，SiC二極管主要用在兩個方面。第一，輸入端PFC電路中，SiC二極管作為升壓和整流二極管應(yīng)用。第二，輸出端AC-DC電路中，SiC二極管作為高頻整流應(yīng)用。由于車載OBC和充電樁輸入電壓不同，OBC是220V，充電樁是380V，OBC要求SiC二極管的電壓等級是650V，充電樁要求SiC二極管的電壓等級是1200V。電流從10A到幾十安都有。
在光伏逆變器中，SiC碳化硅肖特基二極管主要是用在前級MPPT電路，作為升壓二極管使用。一般來說SiC二極管一般與SiC MOSFET配套使用。目前來說主要使用的是1200V產(chǎn)品。由于光伏逆變器的功率等級跨度比較大，從百瓦到GW的光伏逆變器都有。相應(yīng)的，對SiC分立器件要求不同，從幾A到幾十A的TO封裝的小器件，到幾百A、上千A的功率模塊。
