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Wayon維安一級(jí)代理商|維安碳化硅肖特基二極管優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

時(shí)間:2022-09-24       發(fā)布人:京柏微       點(diǎn)擊量:

   維安Wayon代理SiC肖特基二極管主要應(yīng)用于混合動(dòng)力、光伏逆變器、礦機(jī)電源、電焊機(jī)和充電樁
   碳化硅肖特基二極管(SiCSBD)是一種單極型器件,采用結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管結(jié)構(gòu)(JBS),因此相比于傳統(tǒng)的硅快恢復(fù)二極管(SiFRD),碳化硅肖特基二極管具有理想的反向恢復(fù)特性??梢杂行Ы档头聪蚵╇娏鳎邆涓玫哪透邏耗芰?。另一個(gè)重要的特點(diǎn)是碳化硅肖特基二極管具有正的溫度系數(shù),隨著溫度的上升電阻也逐漸上升,這與硅FRD正好相反。這使得碳化硅肖特基二極管非常適合并聯(lián)實(shí)用,增加了系統(tǒng)的安全性和可靠性。在器件從正向?qū)ㄏ蚍聪蜃钄噢D(zhuǎn)換時(shí),幾乎沒有反向恢復(fù)電流,反向恢復(fù)時(shí)間小于20ns,甚至600V10A的碳化硅肖特基二極管的反向恢復(fù)時(shí)間在10ns以內(nèi)。因此碳化硅肖特基二極管可以工作在更高的頻率,在相同頻率下具有更高的效率。
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一、維安WAYON SiC碳化硅肖特基二極管器件分類和優(yōu)點(diǎn):
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(1)碳化硅單載流子器件漂移區(qū)薄,開關(guān)電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導(dǎo)通電阻,碳化硅功率器件的正向損耗小。(2)碳化硅功率器件由于具有高的擊穿電場(chǎng)而具有高的擊穿電壓。例如,商用的硅肖特基的電壓小于300V,而第一個(gè)商用的碳化硅肖特基二極管的擊穿電壓已達(dá)到600V。(3)碳化硅有高的熱導(dǎo)率,因此碳化硅功率器件有低的結(jié)到環(huán)境的熱阻。(4)碳化硅器件可工作在高溫,碳化硅器件已有工作在600oC的報(bào)道,而硅器件的最大工作溫度僅為150oC.(5)碳化硅具有很高的抗輻照能力。(6)碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時(shí)間的變化很小,可靠性好。(7)碳化硅器件具有很好的反向恢復(fù)特性,反向恢復(fù)電流小,開關(guān)損耗小。碳化硅功率器件可工作在高頻(》20KHz)。(8)碳化硅器件為減少功率器件體積和降低電路損耗作出了重要貢獻(xiàn)。


Wayon代理商,維安一級(jí)代理商,維安碳化硅肖特基二極管,SIC碳化硅二極管優(yōu)點(diǎn)及應(yīng)用對(duì)光伏市場(chǎng)應(yīng)用,維安產(chǎn)品組合包括全系列的功率器件,具體包括高壓SJ-MOSFET、中壓SGT MOSFET和IGBT模組和第三代半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管SiC SBD,此外,維安還可以提供AC/DC、DC/DC、LDO、保護(hù)器件等產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)完整的系統(tǒng)級(jí)方案。

Part No.VRRM(V)IF(A)IFSM(A)VF(V) typ.IR(μA)typ.PackageData sheet
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