碳化硅：第三代半導(dǎo)體突破性材料。SiC是第三代半導(dǎo)體材料，其具備極好的耐壓性、導(dǎo)熱性和耐熱性，是制造功率器件、大功率射頻器件的突破性材料

根據(jù)Wolfspeed預(yù)計(jì)，2022年全球碳化硅器件市場規(guī)模達(dá)43億美元，2026年碳化硅器件市場規(guī)模有望成長至89億美元。當(dāng)前SiC功率器件價(jià)格較高，是硅基IGBT的3~5倍左右，但憑借優(yōu)異的系統(tǒng)節(jié)能特性，SiC器件開始在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等領(lǐng)域替代硅基器件。

安森美：all in碳化硅！

未來5-10年碳化硅產(chǎn)能不會(huì)過剩

自去年10月安森美收購GTAT以后，其對(duì)新的企業(yè)部門進(jìn)行了投資并擴(kuò)大了產(chǎn)能，預(yù)計(jì)今年年底產(chǎn)能增長5倍?！盎贕TAT生產(chǎn)的晶圓襯底，在2022年我們已經(jīng)有器件產(chǎn)品出貨了?！?/span>

安森美總裁兼首席執(zhí)行官CEO透露，“2022-2023年安森美在碳化硅方面的資本支出將會(huì)達(dá)到總收入的15%-20%，其中75%-80%將用于碳化硅的產(chǎn)能擴(kuò)張?！?br style="margin: 0px; padding: 0px; outline: 0px; max-width: 100%; box-sizing: border-box !important; overflow-wrap: break-word !important;"/>

安森美公司收購GTAT剛好一年，SiC收入有望在2022年增加兩倍，并根據(jù)長期服務(wù)協(xié)議（LTSA）的承諾收入在23年實(shí)現(xiàn)10億美元的收入。

對(duì)于產(chǎn)能過剩的風(fēng)險(xiǎn)，安森美表示資本支出的增加短期會(huì)對(duì)公司的毛利造成一些壓力，但安森美相信未來市場足夠大，足以支持投資和產(chǎn)能的擴(kuò)張。

“未來5-10年，我們認(rèn)為碳化硅的市場還是會(huì)比較緊缺，不會(huì)出現(xiàn)產(chǎn)能過剩的情況?！?span style="margin: 0px; padding: 0px; outline: 0px; max-width: 100%; box-sizing: border-box !important; overflow-wrap: break-word !important;">安森美CEO說道。

“2022年碳化硅業(yè)務(wù)的營收是2021年的3倍，證明了安森美在這方面有生產(chǎn)和產(chǎn)能擴(kuò)張的能力，我們會(huì)繼續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)能，在未來3年預(yù)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)40億美元的碳化硅收入?！?/span>

安森美是全球汽車半導(dǎo)體龍頭，聚焦智慧電源及智慧感知業(yè)務(wù)。安森美前身為1999年摩托羅拉分拆的半導(dǎo)體部門，2000年美股上市，后陸續(xù)收購眾多半導(dǎo)體制造商，在全球建立生產(chǎn)基地和設(shè)計(jì)工廠。2021年，公司收購碳化硅廠商GTAT，增強(qiáng)碳化硅領(lǐng)域布局實(shí)力。2021財(cái)年，公司實(shí)現(xiàn)營收67.4億美元，同比增長28.13%；歸母凈利潤10.1億美元，同比增長339.13%。

安森美戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型：all in碳化硅，彰顯汽車野心。安森美收入包含電源方案部（功率）、先進(jìn)方案部（模擬、混合信號(hào)、邏輯）及智能感知部（CIS），下游涵蓋汽車、工業(yè)、通訊、消費(fèi)等。2020年12月，El-Khoury出任公司新CEO；2021年8月，公司變更品牌名（去“半導(dǎo)體”化）及LOGO，彰顯對(duì)于汽車下游的重視。碳化硅作為遠(yuǎn)期核心增長點(diǎn)，在公司營收比重不斷提升。而IDM轉(zhuǎn)Fab-liter模式，也切實(shí)推動(dòng)公司盈利能力改善。

日本SiC材料廠家：翻5倍！

英飛凌的 SiC 制造能力將增加十倍

與此同時(shí)，2023年1月12日，Resonac與英飛凌簽訂了新的多年合同。

與英飛凌達(dá)成的新的多年期協(xié)議擴(kuò)展了 2021 年簽署的現(xiàn)有 150mm SiC 晶圓協(xié)議，并且是英飛凌計(jì)劃在本十年末擴(kuò)大其 SiC 制造能力以達(dá)到 30% 的市場份額計(jì)劃的一部分。

到 2027 年，英飛凌的 SiC 制造能力將增加十倍。居林的新工廠計(jì)劃于 2024 年投產(chǎn)，該公司已經(jīng)為全球 3,600 多家客戶提供 SiC 半導(dǎo)體。

作為合作的一部分，英飛凌將為 Resonac 提供與 SiC 材料技術(shù)相關(guān)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。英飛凌憑借這一專長于 2018 年收購了材料公司 Silectra。

高技術(shù)門檻導(dǎo)致第三代半導(dǎo)體材料市場以日美歐寡頭壟占，國內(nèi)企業(yè)在SiC襯底方面以4英寸為主。目前，國內(nèi)已經(jīng)開發(fā)出了6英寸導(dǎo)電性SiC襯底和高純半絕緣SiC襯底，山東天岳公司、北京天科合達(dá)公司和河北同光晶體公司分別與山東大學(xué)、中科院物理所和中科院半導(dǎo)體所進(jìn)行技術(shù)合作與轉(zhuǎn)化，在SiC單晶襯底技術(shù)上形成自主技術(shù)體系。國內(nèi)目前已實(shí)現(xiàn)4英寸襯底的量產(chǎn)；同時(shí)山東天岳、天科合達(dá)、河北同光、中科節(jié)能均已完成6英寸襯底的研發(fā)；中電科裝備已成功研制出6英寸半絕緣襯底。

國內(nèi)碳化硅襯底競爭對(duì)比