碳化硅材料有很多優(yōu)點(diǎn)，如禁帶寬度很大、臨界擊穿場強(qiáng)很高、熱導(dǎo)率很大、飽和電子漂移速度很高和介電常數(shù)很低。碳化硅具有載流子飽和速度高和熱導(dǎo)率大的特點(diǎn)，應(yīng)用開關(guān)頻率可達(dá)到1MHz，在高頻應(yīng)用中優(yōu)勢明顯，其中碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）耐壓可以達(dá)到6000V以上。相對(duì)應(yīng)的，硅材料的禁帶寬度較低，在較低的溫度下硅器件本征載流子濃度較高，而高的漏電流會(huì)造成熱擊穿，這限制了器件在高溫環(huán)境和大功率耗散條件下工作。 
       用碳化硅肖特基二極管替換快速PN 結(jié)的快速恢復(fù)二極管（FRD)，能夠明顯減少恢復(fù)損耗，有利于開關(guān)電源的高頻化，減小電感、變壓器等被動(dòng)元件的體積，使開關(guān)電源小型化，并降低產(chǎn)品噪音。
Wayon維安代理商|SiC Schottky Diode 碳化硅肖特基二極管:WSRSIC002120NPO
SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
Features
? 2A Silicon Carbide Schottky Diode
? Excellent high temperature stability
? Low forward voltage
? High forward surge capability
? 150℃ Operating Junction Temperature
? Reduced temperature dependence Mechanical Data
? Case: TO-252-2L Absolute Maximum Ratings（Tc=25℃ Unless otherwise specified）

Parameter Symbol Value Unit Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 1200 V Surge Peak Reverse Voltage VRSM 1200 V DC Blocking Voltage VR 1200 V Maximum Average Forward Rectified Current Tc=143℃ IF 2 A Surge(Non-Repetitive)Forward Current @ Tp=10ms Half Sine Wave TC=25℃ IFSM 16 A Power Dissipation TC=25℃ Ptot 49 W Thermal Resistance(between Junction and Case) Rθ(J-C) 2.55 （Typ.） ℃/W Junction and Storage Temperature TJ TSTG -40 ~ +150 ℃ Electronics Characteristics（Tc=25℃ Unless otherwise specified） Parameter Symbol Typ. Max. Unit Maximum Instantaneous Forward Voltage @IF=2A TJ=25℃ Maximum Instantaneous Forward Voltage @IF=2A TJ=150℃ VF 1.45 2 1.8 / V ?2021 WAYON Corporation www.way-on.com 1 / 4 SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE WSRSIC002120NPO Total Capacitance @ f=1MHZ TJ=25℃ VR=0V Total Capacitance @ f=1MHZ TJ=25℃ VR=400V Total Capacitance @ f=1MHZ TJ=25℃ VR=800V C 135 11 8 / pF Total Capacitive Charge @ VR=800V QC 8 / nC Reverse leakage current @VR=1200V TJ=25℃ Reverse leakage current @VR=1200V TJ=150℃ IR 1 8 20 / μA

　   碳化硅肖特基二極管的應(yīng)用

　　SiC肖特基二極管主要應(yīng)用于混合動(dòng)力、光伏逆變器、礦機(jī)電源、電焊機(jī)和充電樁。

　　碳化硅肖特基二極管（SiCSBD）是一種單極型器件，采用結(jié)勢壘肖特基二極管結(jié)構(gòu)（JBS），因此相比于傳統(tǒng)的硅快恢復(fù)二極管（SiFRD），碳化硅肖特基二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。可以有效降低反向漏電流，具備更好的耐高壓能力。另一個(gè)重要的特點(diǎn)是碳化硅肖特基二極管具有正的溫度系數(shù)，隨著溫度的上升電阻也逐漸上升，這與硅FRD正好相反。這使得碳化硅肖特基二極管非常適合并聯(lián)實(shí)用，增加了系統(tǒng)的安全性和可靠性。在器件從正向?qū)ㄏ蚍聪蜃钄噢D(zhuǎn)換時(shí)，幾乎沒有反向恢復(fù)電流，反向恢復(fù)時(shí)間小于20ns，甚至600V10A的碳化硅肖特基二極管的反向恢復(fù)時(shí)間在10ns以內(nèi)。因此碳化硅肖特基二極管可以工作在更高的頻率，在相同頻率下具有更高的效率