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Wayon維安代理商|維安 SiC MOSFET 產(chǎn)品系列及應(yīng)用盤點(diǎn)
功率半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展致力于提高能量的轉(zhuǎn)換效率,而Si器件的性能已接近材料瓶頸,第三代(寬禁帶)半導(dǎo)體材料的出現(xiàn),恰好彌補(bǔ)了Si材料性能的不足。其臨界擊穿場強(qiáng)高,禁帶寬度高,電子飽和漂移率高,熱導(dǎo)率和耐溫高等材料特性,使SiC器件在高頻率、高效率,高功率密度等維度上擁有無可比擬的優(yōu)勢。
維安作為功率控制領(lǐng)域全方案供應(yīng)商,繼SiC肖特基二極管后,又開發(fā)完成了SiC MOSFET系列產(chǎn)品,產(chǎn)品電壓涵蓋1200V~1700V,電阻涵蓋32mΩ~50Ω,并根據(jù)產(chǎn)品應(yīng)用的需求,推出TO-247-3L,TO-247-4L,TO-263-7L等封裝。產(chǎn)品適用于工業(yè)及新能源行業(yè)的充電樁,光伏逆變器,儲能逆變器,高性能輔助電源等應(yīng)用場景。
#維安SiC MOSFET產(chǎn)品Road Map
#維安SiC MOSFET產(chǎn)品系列
T2B系列
推薦開通電壓 15V
優(yōu)異的FOM特性
高開關(guān)速度
極低的開關(guān)損耗
高阻斷電壓及低導(dǎo)通電阻
體二極管的低Qrr
關(guān)斷損耗不隨溫度升高而變大
無鹵,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
T2C系列
推薦開通電壓 18V
經(jīng)濟(jì)性
高開關(guān)速度
易于并聯(lián)使用和驅(qū)動
高阻斷電壓及低導(dǎo)通電阻
優(yōu)異的雪崩性能
關(guān)斷損耗不隨溫度升高而變大
無鹵,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
#維安SiC MOSFET應(yīng)用推薦
光伏:升壓電路和逆變電路
更高的頻率,更低的開關(guān)損耗
更高的功率密度
充電樁模塊:維也納整流和DCDC變換
更高的功率密度
更高的開關(guān)頻率
更低的諧波
輔助電源:WSCM01Kx170T2C
更低的內(nèi)阻,12V驅(qū)動電壓下,Rdson僅為1Ω
提供TO-263-7L和TO-247-3L,兩種通用封裝
更低的損耗,更小的占板面積
#維安SiC MOSFET碳化硅定制模塊產(chǎn)品系列
針對SiC模塊的市場需求,WAYON同時也拓展了定制業(yè)務(wù),可根據(jù)客戶需求做全碳化硅,IGBT&SiC混合模塊,SiC二極管的模塊定制開發(fā)。
模塊產(chǎn)品因其電路簡單,回路寄生參數(shù)低;熱阻低,散熱好,功率密度高等特點(diǎn),更適用于高可靠性、高功率密度要求的應(yīng)用場景,并帶來更高的產(chǎn)品價值。
全SiC定制模塊產(chǎn)品: