IGBT裸片是硅基的絕緣柵雙極晶體管芯片。裸片和晶圓級別的芯片可幫助模塊制造商提高產(chǎn)品集成度和功率密度，并有效節(jié)約電路板空間。另外，維安Wayon還提供完善的獨立塑封IGBT系列：IGBT單管。該系列芯片包括單片IGBT，以及和續(xù)流二極管集成封裝的產(chǎn)品，廣泛應用于通用逆變器、太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、感應加熱設備、大型家電、焊接以及開關電源（SMPS）等領域。單管IGBT電流密度高且功耗低，能夠提高能效、降低散熱需求，從而有效降低整體系統(tǒng)成本。
功率模塊是比分立式IGBT規(guī)模稍大的產(chǎn)品類型，用于構造電力電子設備的基本單元。這類模塊通常由IGBT和二極管組成，可有多種拓撲結(jié)構。而即用型組件模塊則專用于滿足大功率應用的需求。這些組件常被稱作系統(tǒng)，根據(jù)具體應用領域采用IGBT功率模塊或單管進行構造。從具有整流器、制動斬波器和逆變器的一體化功率集成模塊，到最大功率的組件，維安Wayo產(chǎn)品高度可靠，性能、效率和使用壽命均很出色，有利于通用驅(qū)動器、伺服單元和可再生能源應用（如太陽能逆變器和風力發(fā)電應用）的設計。
igbt是一種新型的半導體器件，自從問世以來在自動控制領域，諸如各類變頻器、自動化設備、航天科技領域、電動汽車、高鐵、煤礦電力、逆變器、電焊機、電影放映機以及大型醫(yī)療設備等都使用這個器件。在家電行業(yè)從高檔自動電飯煲、電磁爐、變頻空調(diào)機、調(diào)溫養(yǎng)生壺、高檔調(diào)溫電磁鍋等等都離不開igbt這個半導體器件。
把交流電變成直流電，這個過程稱為:整流。整流技術早在八十年代已經(jīng)基本成熟。把直流電變成交流電，這一過程稱為:逆變。
實質(zhì)上igbt可以理解為是一個復合三極管，前端是一個場效應絕緣柵三極管即mos管，在mos后端接入一個PNP半導體管。MOS三極管具有輸入阻抗大，PNP管具有輸出電阻、飽和壓降小的特點，這兩個特點對半導體器件來講至關重要，組合后的等效電路如下圖所示。
在jpdgd的控制柵極G上施加一個很微弱的電位，就可以控制其導通和關閉。末端是由一個pnp型三極管，該管具有飽和壓降小，即自身電阻小，產(chǎn)生的熱量也很少。由于這個復合三極管的特殊優(yōu)勢，解決了先前半導體器件不能解決的 問題，所以一問世便得到了廣泛的關注，迅速在各個自動化領域得到應用，人們把這個復合三極管命名為:igbt。
也有人把igbt稱為模塊，這個模塊在工業(yè)自動化領域，醫(yī)學領域、變頻技術領域、逆變技術領域都得到廣泛地使用。在家用電器領域更是無處不在。家用電磁爐的末端輸出是這個模塊，養(yǎng)生壺的輸出端，自動電飯煲的輸出端也是使用這個模塊等等。
可以說，igbt半導體器件的誕生，是半導體器件領域的的一次革命！
上面這張圖是igbt的典型應用電路，是屬于核心技術的電路。無論是高科技領域，自動化領域，乃至家用電器應用電路，都是在這張基本技術電路圖上派生出來的。
其技術原理是：輸入220伏交流電，經(jīng)過整流濾波得到310伏的直流電壓，也同時得到5v、12V的直流電壓，兩種直流低電壓分別送給相應的半導體芯片，一組芯片產(chǎn)生矩形脈沖方波，一組芯片產(chǎn)生系統(tǒng)檢測用的用來控制方波產(chǎn)生的頻率和矩形脈沖的占空比。兩組芯片完成了對直流電變成交流電的逆變，將這一交流信號送到igbt的控制柵極G,在輸出極就可以得到一個高壓大電流的交流輸出。具有一定功率的交流輸出是一個大功率的電流逆變，根據(jù)實際需要，可以將這組逆變交流功率輸出進行二次整流，這樣就可以得到一個可以隨意調(diào)節(jié)的直流電壓，用來控制各種設備。
深圳市京柏微科技有限公司是維安WAYON代理商,代理的產(chǎn)品有維安電源管理 IC,維安LDO,維安PPTC，維安保險絲，維安ESD，維安IGBT，維安二三極管，維安TVS，維安MOS，維安充電IC，維安負載開關等產(chǎn)品。
維安IGBT模塊型號表:
電壓1200V，電流從100A-600A
100A:WGM100PC120T1
150A:WGM150FC120T1
200A:WGM200HC120T1
300A:WGM300HC120T1
450A:WGM450HD120T1
600A:WGM600HD120T1
