1.PIM模塊/IPM模塊/IGBT模塊概念區(qū)別：

PIM模塊：整流橋+制動單元+三相逆變（IGBT橋）。PIM模塊拓撲結構主要是集成了三相整流橋、剎車系統(tǒng)、六管三相逆變和NTC熱敏電阻，模塊集成度高。該模塊與分立器件方案相比，極大的簡化了設計電路的布局和散熱系統(tǒng)的搭建。

IPM模塊：集成門級驅動及眾多保護功能（過熱，過流，過流，欠壓等保護）的IGBT模塊，即智能功率模塊。IPM模塊即智能IGBT功率模塊，在一個模塊中集成了門級驅動及保護功能（過熱、過壓、過流、欠壓等保護功能）、溫度檢測IPM和多個IGBT管。

IGBT模塊：模塊化封裝的IGBT芯片。

IPM的優(yōu)點：小體積，小型化 ；縮短研發(fā)周期；驅動電路和IGBT之間連線短，驅動電路的阻抗低，不需要負電源；集成了IGBT的驅動，欠壓保護，過熱保護，過流短路保護，可靠性高。

2.PIM模塊/IPM模塊/IGBT模塊優(yōu)缺點區(qū)別：

IPM的缺點：過流或者過溫保護點已經(jīng)固定，如果因為某些特殊的需求就無法作更改，靈活性不夠；IPM只有一個報警信號輸出，不能分辨究竟是過熱還是過流還是欠壓等。還有如果就只有驅動或者保護部分電路損壞,但是我們只能無奈的換掉整個模塊，而大功率IPM的采購成本非常高。

IGBT的優(yōu)點：采用IGBT架構電路結構靈活 ，過載能力強（其額定電流是在80℃定義，而IPM是在25℃定義的），采購成本低，可以靈活的設計IGBT的驅動電路有效的控制其開啟和關斷時間，實現(xiàn)良好的EMI和IGBT的熱功耗。

IGBT的缺點：體積大，還需要設計如驅動電路、外圍的報警保護電路等保證IGBT的可靠運行。因此設計難度大，穩(wěn)定性和可靠性很難把握，并且驅動電路除了需要正電源往往還需要負電源，需要提供的電源相對多，布局布線存在困難。

3.IGBT選型參數(shù)：
額定工作電流、過載系數(shù)、散熱條件決定了IGBT模塊的額定電流參數(shù)，額定工作電壓、電壓波動、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓參數(shù)，引線方式、結構也會給IGBT選型提出要求。
IGBT就是利用了MOSFET和BJT的優(yōu)點組合起來的，兼有MOSFET的柵極電壓控制晶體管(高輸入阻抗)，又利用了BJT的雙載流子達到大電流(低導通壓降)的目的 (Voltage-Controlled Bipolar Device)。從而達到驅動功率小、飽和壓降低的完美要求，廣泛應用于600V以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

4.應用場景特點對IGBT的要求：

5.Wayon維安IGBT新產(chǎn)品介紹：

      深圳市京柏微科技有限公司是維安WAYON代理商,代理的產(chǎn)品有維安電源管理 IC,維安MCU，維安LDO,維安PPTC，維安保險絲，維安ESD，維安IGBT，Wayon IGBT，維安二三極管，維安TVS，維安MOS，維安充電IC，維安負載開關等產(chǎn)品。