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產(chǎn)品知識(shí)

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P-MOS和N-MOS怎么區(qū)分?MOS的G、D、S管腳怎么區(qū)分?MOS管如何導(dǎo)通?

時(shí)間:2022-03-18       發(fā)布人:京柏微       點(diǎn)擊量:

 MOS管的工作原理(以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)它是利用VGS來(lái)控制“感應(yīng)電荷”的多少,以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況,然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí),通過(guò)工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子,故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷,這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通,形成了導(dǎo)電溝道,即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時(shí),溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變,導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變,因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

如何區(qū)分P-MOS和N-MOS;

如何區(qū)分MOS的G、D、S管腳;

MOS管的寄生二極管方向如何;

MOS管如何導(dǎo)通;



mos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分:

G極,不用說(shuō)比較好認(rèn)。

  S極,不論是p溝道還是N溝道,兩根線相交的就是;

  D極,不論是p溝道還是N溝道,是單獨(dú)引線的那邊。

  判定柵極G:將萬(wàn)用表撥至R×1k檔,用萬(wàn)用表的負(fù)極任意接一電極,另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)極,測(cè)其電阻。若兩次測(cè)得的電阻值近似相等,則負(fù)表筆所接觸的為柵極,另外兩電極為漏極和源極。漏極和源極互換,若兩次測(cè)出的電阻都很大,則為N溝道;若兩次測(cè)得的阻值都很小,則為P溝道。

  判定源極S、漏極D:在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié),因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異,可識(shí)別S極與D極。用交換表筆法測(cè)兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時(shí)黑表筆的是S極,紅表筆接D極。

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MOS管如何快速判斷與好壞及引腳性能

  1、用10K檔,內(nèi)有15伏電池??商峁?dǎo)通電壓。

  2、因?yàn)闁艠O等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來(lái),否則是壞管。

  3、利用表筆對(duì)柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便。但要放電時(shí)需短路管腳或反充。

  4、大都源漏間有反并二極管,應(yīng)注意,及幫助判斷。

  5、大都封莊為字面對(duì)自已時(shí),左柵中漏右源。以上前三點(diǎn)必需掌握,后兩點(diǎn)靈活運(yùn)用,很快就能判管腳,分好壞。

  如果對(duì)新拿到的不明MOS管,可以通過(guò)測(cè)定來(lái)判斷腳極,只有準(zhǔn)確判定腳的排列,才能正確使用。

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管腳測(cè)定方法:

  ①柵極G的測(cè)定:用萬(wàn)用表R×100檔,測(cè)任意兩腳之間正反向電阻,若其中某次測(cè)得電阻為數(shù)百Ω),該兩腳是D、S,第三腳為G。

 ?、诼OD、源極S及類型判定:用萬(wàn)用表R×10kΩ檔測(cè)D、S問(wèn)正反向電阻,正向電阻約為0.2×10kΩ,反向電阻(5一∞)X100kΩ。在測(cè)反向電阻時(shí),紅表筆不動(dòng),黑表筆脫離引腳后,與G碰一下,然后回去再接原引腳,出現(xiàn)兩種情況:

  a.若讀數(shù)由原來(lái)較大值變?yōu)?(0×10kΩ),則紅表筆所接為S,黑表筆為D。用黑表筆接觸G有效,使MOS管D、S間正反向電阻值均為0Ω,還可證明該管為N溝道。

  b.若讀數(shù)仍為較大值,黑表筆不動(dòng),改用紅表筆接觸G,碰一下之后立即回到原腳,此時(shí)若讀數(shù)為0Ω,則黑表筆接的是S極、紅表筆為D極,用紅表筆接觸G極有效,該MOS管為P溝道。

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 MOS管的發(fā)熱情況有:

  1.電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開(kāi)關(guān)電路狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開(kāi)關(guān),G級(jí)電壓要比電源高幾V,才能完全導(dǎo)通,P-MOS則相反。沒(méi)有完全打開(kāi)而壓降過(guò)大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計(jì)電路的最忌諱的錯(cuò)誤。

  2.頻率太高,主要是有時(shí)過(guò)分追求體積,導(dǎo)致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發(fā)熱也加大了。

  3.沒(méi)有做好足夠的散熱設(shè)計(jì),電流太高,MOS管標(biāo)稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于最大電流,也可能發(fā)熱嚴(yán)重,需要足夠的輔助散熱片。

  4.MOS管的選型有誤,對(duì)功率判斷有誤,MOS管內(nèi)阻沒(méi)有充分考慮,導(dǎo)致開(kāi)關(guān)阻抗增大。


  MOS管作用

  MOS管可以用作可變電阻也可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。且場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源也可以用作電子開(kāi)關(guān)。

  有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管好。場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。

  在一般電子電路中,通常被用于放大電路或開(kāi)關(guān)電路。而在主板上的電源穩(wěn)壓電路中,MOSFET扮演的角色主要是判斷電位,它在主板上常用“Q”加數(shù)字表示。

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