Mosfet參數(shù)含義說明
Features:
Vds：    DS擊穿電壓.當(dāng)Vgs=0V時，MOS的DS所能承受的最大電壓
Rds(on)：DS的導(dǎo)通電阻.當(dāng)Vgs=10V時，MOS的DS之間的電阻
Id：     最大DS電流.會隨溫度的升高而降低
Vgs:     最大GS電壓.一般為：-20V~+20V
Idm:     最大脈沖DS電流.會隨溫度的升高而降低，體現(xiàn)一個抗沖擊能力，跟脈沖時間也有關(guān)系
Pd:      最大耗散功率
Tj:      最大工作結(jié)溫，通常為150度和175度
Tstg:    最大存儲溫度
Iar:     雪崩電流
Ear:     重復(fù)雪崩擊穿能量
Eas:     單次脈沖雪崩擊穿能量
BVdss：  DS擊穿電壓
Idss:    飽和DS電流，uA級的電流
Igss:    GS驅(qū)動電流，nA級的電流.
gfs:     跨導(dǎo)
Qg:      G總充電電量
Qgs:     GS充電電量
Qgd:     GD充電電量
Td(on):  導(dǎo)通延遲時間，從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時間
Tr:      上升時間，輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時間
Td(off): 關(guān)斷延遲時間，輸入電壓下降到 90% 開始到 VDS 上升到其關(guān)斷電壓時 10% 的時間
Tf:      下降時間，輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時間 ( 參考圖 4) 。
Ciss:    輸入電容，Ciss=Cgd + Cgs.
Coss:    輸出電容，Coss=Cds +Cgd.
Crss:    反向傳輸電容，Crss=Cgc.

Trr:     反向恢復(fù)時間

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