1.PIM模塊/IPM模塊/IGBT模塊概念區(qū)別：

PIM模塊：整流橋+制動單元+三相逆變（IGBT橋）。PIM模塊拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)主要是集成了三相整流橋、剎車系統(tǒng)、六管三相逆變和NTC熱敏電阻，模塊集成度高。該模塊與分立器件方案相比，極大的簡化了設(shè)計電路的布局和散熱系統(tǒng)的搭建。

IPM模塊：集成門級驅(qū)動及眾多保護(hù)功能（過熱，過流，過流，欠壓等保護(hù)）的IGBT模塊，即智能功率模塊。IPM模塊即智能IGBT功率模塊，在一個模塊中集成了門級驅(qū)動及保護(hù)功能（過熱、過壓、過流、欠壓等保護(hù)功能）、溫度檢測IPM和多個IGBT管。

IGBT模塊：模塊化封裝的IGBT芯片。

IPM的優(yōu)點：小體積，小型化 ；縮短研發(fā)周期；驅(qū)動電路和IGBT之間連線短，驅(qū)動電路的阻抗低，不需要負(fù)電源；集成了IGBT的驅(qū)動，欠壓保護(hù)，過熱保護(hù)，過流短路保護(hù)，可靠性高。

2.PIM模塊/IPM模塊/IGBT模塊優(yōu)缺點區(qū)別：

IPM的缺點：過流或者過溫保護(hù)點已經(jīng)固定，如果因為某些特殊的需求就無法作更改，靈活性不夠；IPM只有一個報警信號輸出，不能分辨究竟是過熱還是過流還是欠壓等。還有如果就只有驅(qū)動或者保護(hù)部分電路損壞,但是我們只能無奈的換掉整個模塊，而大功率IPM的采購成本非常高。

IGBT的優(yōu)點：采用IGBT架構(gòu)電路結(jié)構(gòu)靈活 ，過載能力強（其額定電流是在80℃定義，而IPM是在25℃定義的），采購成本低，可以靈活的設(shè)計IGBT的驅(qū)動電路有效的控制其開啟和關(guān)斷時間，實現(xiàn)良好的EMI和IGBT的熱功耗。

IGBT的缺點：體積大，還需要設(shè)計如驅(qū)動電路、外圍的報警保護(hù)電路等保證IGBT的可靠運行。因此設(shè)計難度大，穩(wěn)定性和可靠性很難把握，并且驅(qū)動電路除了需要正電源往往還需要負(fù)電源，需要提供的電源相對多，布局布線存在困難。

3.IGBT選型參數(shù)：
額定工作電流、過載系數(shù)、散熱條件決定了IGBT模塊的額定電流參數(shù)，額定工作電壓、電壓波動、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓參數(shù)，引線方式、結(jié)構(gòu)也會給IGBT選型提出要求。
IGBT就是利用了MOSFET和BJT的優(yōu)點組合起來的，兼有MOSFET的柵極電壓控制晶體管(高輸入阻抗)，又利用了BJT的雙載流子達(dá)到大電流(低導(dǎo)通壓降)的目的 (Voltage-Controlled Bipolar Device)。從而達(dá)到驅(qū)動功率小、飽和壓降低的完美要求，廣泛應(yīng)用于600V以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

4.應(yīng)用場景特點對IGBT的要求：

5.Wayon維安IGBT新產(chǎn)品介紹：

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