圖2：維安新國標充電器樣機(4820）

方案特性及優(yōu)勢

● 整機效率：≥89.0 %

(包括可控硅和風機的功耗)

該方案主控制器采用谷底開通技術，降低主開關損耗；次級則使用肖特基整流二極管和PMOS負載開關實現(xiàn)無風機被動散熱方案，相比傳統(tǒng)填谷電路，效率提高4~5%。

● 高EMI裕量

(傳導和輻射騷擾 裕量≥6 dB)(

初級采用一級半和谷底開通準諧振拓撲，大大提高了諧波和EMI裕量。

● 寬輸入電壓范圍 ：180-240Vac  

(輸入最低電壓165V/AC，輸入最高電壓264V/AC)

次級采用一級半和谷底開通準諧振拓撲和高功率700V MOSFET，輸入電壓支持到165-264VAC ，相比傳統(tǒng)填谷電路輸入電壓范圍更寬。

● 輸出規(guī)格：60V/3A

(輸出最低30V/3A，輸出最高60V/3A)

功率因數PF：0.75

設計要點

1、初級方案設計

新國標充電器方案的初級部分采用WD1082G，內部集成PWM控制器和700V/0.9Ω 高功率MOSFET，它具備谷底導通、低功耗、高效率等特性；充電器輕載或空載工作時，WD1082G處于Burst打嗝模式以減小開關損耗，從而降低了待機功耗，提高了輕載效率；工作于正常負載模式時，WD1082G處于QR谷底導通模式，提高了整機效率和降低EMI噪聲源頭。

WD1082G同時具備過流保護（OCP）、過載保護（OLP）、過溫保護（OTP）、輸出過壓保護（OVP）等功能。

初級針對于PFC的設計采用了如圖3所示的方案，LB、DBYP、DB作為PFC部分的元件，使得輸入電流跟隨輸入電壓的正弦波變化而變化，提高了整機的功率因數。同時巧妙使用一級半和合封功率MOSFET技術，相比主動APFC電路，節(jié)省一顆功率MOSFET和PFC電路控制，具有線路簡單、成本低的優(yōu)點。本方案中，平均功率因數為0.75，諧波均滿足新國標要求。

圖3：維安新國標充電器功率級簡化電路

2、次級方案設計

為滿足新國標充電器強制性 “通訊協(xié)議”充電這一要求，本方案的次級控制器采用了一款高度可編程數?；旌现悄艹潆姽芾硇酒?/span>，其內置的恒壓恒流控制模塊實現(xiàn)了對充電器對鉛酸電池三段式充電的精準控制，從而提高鉛酸電池的使用壽命，充電電壓經由輸出端分壓網絡得到的電壓與內置的2.5V電壓源相比較作為輸出電壓控制信號以及系統(tǒng)反饋信號，充電電流經由采樣電阻取得的電壓與控制器內置的50mV電壓源作為輸出電流控制信號以及系統(tǒng)反饋信號。

3、方案樣機測試結果

 關鍵波形

如圖4-6所示為本方案設計樣機初次級以及LN線關鍵波形結果。