原裝暢銷·品牌齊全·海量型號·庫存充足
聯(lián)系我們
Contact us深圳京柏微科技有限公司
聯(lián)系人:麥小姐
電話:0755-86520852
傳真:0755-86520852
手機:18124163678
地址:深圳市南山區(qū)桃源街道平山社區(qū)平山一路2號南山云谷創(chuàng)業(yè)園二期6棟308
電話:0755-86520852
傳真:0755-86520852
手機:18124163678
地址:深圳市南山區(qū)桃源街道平山社區(qū)平山一路2號南山云谷創(chuàng)業(yè)園二期6棟308
產(chǎn)品概述
MOS管的工藝發(fā)展史:
維安MOSFET大致可以分為以下幾類:平面型MOSFET;Trench (溝槽型)MOSFET,主要用于低壓領(lǐng)域;SGT(Shielded Gate Transistor,屏蔽柵溝槽)MOSFET,主要用于中壓和低壓領(lǐng)域;SJ-(超結(jié))MOSFET,主要在高壓領(lǐng)域應(yīng)用。
維安Trench MOS和SGT MOS器件結(jié)構(gòu): 維安SGT技術(shù)優(yōu)勢有三大點:
1.功率密度顯著提升,溝槽挖掘深度深3-5倍
2.開關(guān)損耗極低, SGT具有低Qg 的特點,它的SGT結(jié)構(gòu)更有利于獲得更低的CGD/CGS比值。
3.EMI優(yōu)勢,維安MOS具有壓低瞬態(tài)震蕩的優(yōu)點。
維安SGT MOSFET借助高功率密度,低內(nèi)阻的優(yōu)點,在消費類,工業(yè)類等應(yīng)用領(lǐng)域占領(lǐng)了很大的市場。
例如:充電器,PC、OBC,筆電、無線充電等:
同步整流SGT MOS:
通訊電源、5G基站,BMS及電機控制:
維安作為國內(nèi)半導體技術(shù)領(lǐng)先廠家,在2022年之后還會有MCU,IGBT模塊等新產(chǎn)品出來,關(guān)注維安代理商京柏微,將會給您帶來更多維安MOS,維安電源IC,維安MCU等資訊。