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維安SGT MOSFET三大優(yōu)勢

維安SGT MOSFET三大優(yōu)勢

隨著手機快充、電動汽車、無刷電機和鋰電池的興起,中壓MOSFET的需求越來越大,中壓功率器件開始蓬勃發(fā)展,因其巨大的市場份額,國內(nèi)外諸多廠商在相應(yīng)的新技術(shù)研發(fā)上不斷加大投入。SGT MOSFET作為中MOSFET的代表,被作為開關(guān)器件廣泛應(yīng)用于電機驅(qū)動系統(tǒng)、逆變器系統(tǒng)及電源管理系統(tǒng),是核心功率控制部件。
產(chǎn)品概述

    MOS管的工藝發(fā)展史:
維安MOS       維安MOSFET大致可以分為以下幾類:平面型MOSFET;Trench (溝槽型)MOSFET,主要用于低壓領(lǐng)域;SGT(Shielded Gate Transistor,屏蔽柵溝槽)MOSFET,主要用于中壓和低壓領(lǐng)域;SJ-(超結(jié))MOSFET,主要在高壓領(lǐng)域應(yīng)用。
       維安Trench MOS和SGT MOS器件結(jié)構(gòu):維安MOS        維安SGT技術(shù)優(yōu)勢有三大點:
1.功率密度顯著提升,溝槽挖掘深度深3-5倍
2.開關(guān)損耗極低, SGT具有低Qg 的特點,它的SGT結(jié)構(gòu)更有利于獲得更低的CGD/CGS比值。
3.EMI優(yōu)勢,維安MOS具有壓低瞬態(tài)震蕩的優(yōu)點。
       維安SGT MOSFET借助高功率密度,低內(nèi)阻的優(yōu)點,在消費類,工業(yè)類等應(yīng)用領(lǐng)域占領(lǐng)了很大的市場。
例如:充電器,PC、OBC,筆電、無線充電等:
維安MOS
同步整流SGT MOS:
維安MOS
通訊電源、5G基站,BMS及電機控制:
維安MOS
維安MOS
       維安作為國內(nèi)半導體技術(shù)領(lǐng)先廠家,在2022年之后還會有MCU,IGBT模塊等新產(chǎn)品出來,關(guān)注維安代理商京柏微,將會給您帶來更多維安MOS,維安電源IC,維安MCU等資訊。

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