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深圳京柏微科技有限公司
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WGB065004是一種增強型硅上氮化鎵功率晶體管。氮化鎵的特性允許大電流，高電壓擊穿和高開關(guān)頻率。
WGB065004是一種底側(cè)冷卻晶體管，提供非常低的結(jié)到外殼的熱電阻要求高功率應(yīng)用程序。這些特性結(jié)合起來可以提供非常高效的電源開關(guān)。
特性
?650V增強型功率晶體管
?底部冷卻，小PDFN5060包裝
?RDS(on) = 450mΩ
?IDS(max) = 4A?超低FOM
?簡單門驅(qū)動要求(0V ~ 6V)
?瞬態(tài)容錯門驅(qū)動器(-20V / +10V)
?高切換頻率(> 1MHz)
?快速可控的升降時間
?反向傳導(dǎo)能力
?零反向恢復(fù)損失
?源感(SS)引腳優(yōu)化門驅(qū)動器
?符合RoHS 3(6+4)標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用程序：
?電源適配器
?LED照明驅(qū)動器
?電池快速充電
?功率因數(shù)校正
?家電電機驅(qū)動
?無線傳輸
第三代半導(dǎo)體材料以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石等為代表，具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高及抗輻射能力強等優(yōu)點，是固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導(dǎo)體照明、新一代移動通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領(lǐng)域具有應(yīng)用前景。
氮化鎵是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為3.4eV，是硅的3倍多。禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。
在幾個關(guān)鍵市場中，GaN都表現(xiàn)出了相當(dāng)?shù)臐B透力。
1、GaN在5G方面的應(yīng)用
射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。
與砷化鎵和磷化銦等高頻工藝相比，氮化鎵器件輸出的功率更大；與LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工藝相比，氮化鎵的頻率特性更好。氮化鎵器件的瞬時帶寬更高，這一點很重要，載波聚合技術(shù)的使用以及準(zhǔn)備使用更高頻率的載波都是為了得到更大的帶寬。
與硅或者其他器件相比，氮化鎵速度更快。GaN可以實現(xiàn)更高的功率密度。對于既定功率水平，GaN具有體積小的優(yōu)勢。有了更小的器件，就可以減小器件電容，從而使得較高帶寬系統(tǒng)的設(shè)計變得更加輕松。射頻電路中的一個關(guān)鍵組成是PA（Power Amplifier，功率放大器）。
從目前的應(yīng)用上看，功率放大器主要由砷化鎵功率放大器和互補式金屬氧化物半導(dǎo)體功率放大器（CMOS PA）組成，其中又以GaAs PA為主流，但隨著5G的到來，砷化鎵器件將無法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。
