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深圳京柏微科技有限公司
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WGB065011是一種增強(qiáng)型硅上氮化鎵電源晶體管。氮化鎵的特性允許大電流，高電壓擊穿和高開(kāi)關(guān)頻率。WGB065011是一種底側(cè)冷卻晶體管，提供非常低結(jié)到外殼的熱電阻要求高電力的應(yīng)用程序。這些功能結(jié)合起來(lái)提供非常高效率電源開(kāi)關(guān)。
WGB065011特性：
?650V增強(qiáng)型功率晶體管
?底部冷卻，小PDFN5060包裝
?RDS(on) = 150mΩ
?IDS(max) = 11A?超低FOM
?簡(jiǎn)單門驅(qū)動(dòng)要求(0V ~ 6V)
?瞬態(tài)容錯(cuò)門驅(qū)動(dòng)器(-20V / +10V)
?高切換頻率(> 1MHz)
?快速可控的升降時(shí)間
?反向傳導(dǎo)能力
?零反向恢復(fù)損失
?源感(SS)引腳優(yōu)化門驅(qū)動(dòng)器
?符合RoHS 3(6+4)標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用程序?電源適配器
?LED照明驅(qū)動(dòng)器
?電池快速充電
?功率因數(shù)校正
?家電電機(jī)驅(qū)動(dòng)
?無(wú)線傳輸
?工業(yè)電源
氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵應(yīng)用范圍廣泛，作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件，其下游應(yīng)用切中了“新基建”中5G基站、特高壓、新能源充電樁、城際高鐵等主要領(lǐng)域。此外，氮化鎵的高效電能轉(zhuǎn)換特性，能夠幫助實(shí)現(xiàn)光伏、風(fēng)電（電能生產(chǎn)），直流特高壓輸電（電能傳輸），新能源汽車、工業(yè)電源、機(jī)車牽引、消費(fèi)電源（電能使用）等領(lǐng)域的電能高效轉(zhuǎn)換，助力“碳達(dá)峰，碳中和”目標(biāo)實(shí)現(xiàn)。
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。
